数据显示，三星去年研发投入达95亿美元（现汇率约合678.57亿元人民币），较2023年的55亿美元增长71.3%，排名从第七位升至第三位。

英特尔2024年投入165.5亿美元（现汇率约合1182.13亿元人民币），但同比增幅仅为3.1%，远低于同行。英伟达则以125亿美元（现汇率约合892.85亿元人民币）位列第二，同比增长47%。

台积电以63.6亿美元（现汇率约合454.28亿元人民币）排名第七，同比增长8.8%。SK海力士连续第二年位列第十，研发支出33.3亿美元（现汇率约合237.86亿元人民币），同比增长32.7%。

其中，英特尔作为唯一一家在美国本土同时进行芯片设计和制造的企业，目前重点投入在于提升其18A工艺的良率，但该公司去年仍录得188亿美元（现汇率约合1342.85亿元人民币）亏损。

整体来看，2024年全球前20大半导体企业合计研发投入986.8亿美元（现汇率约合7048.52亿元人民币），同比增长17%，约占行业总研发支出的96%。其中15家企业增加了投入，5家则有所削减。

从研发投入与营收占比来看，美国企业排名靠前，英特尔、博通、高通和 AMD 位居前列。前20家企业的平均比例为15.8%。其中，三星为11.7%，SK海力士为6.99%，为该组最低。其中SK海力士研发投入增长逾32%，但由于营收几乎翻倍，故研发投入占比反而有所下降。

TechInsights预计，英伟达可能在明年超过英特尔，成为全球研发支出最高的半导体企业。英特尔去年将33.6%的营收投入研发，但其新任CEO陈立武已开始削减开支。相比之下，英伟达将1156.2亿美元营收中的10.8%用于研发，并已连续四年大幅增加投资。

路透社上个月还报道称，相对于英特尔的巨额投入，其18A工艺目前仍存在良率偏低的风险。

根据X用户@Kurnalsalts分享的数据，Intel 18A工艺的逻辑晶体管密度仅184.21MTr/mm2，是同行之中最低的。此前TechInsights分析的数据却显示，在高密度逻辑单元晶体管密度方面，台积电2nm为313 MTr/mm2、Intel 18A为238 MTr/mm2，三星2nm则为231 MTr/mm2。